Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF6216TRPBF
MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF6216TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
150V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
2.2A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
240 mOhm @ 1.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
49nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1280pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 23152 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF6216TRPBF
IRF6216TRPBF Elektronické komponenty
IRF6216TRPBF Odbyt
IRF6216TRPBF Dodavatel
IRF6216TRPBF Distributor
IRF6216TRPBF Datová tabulka
IRF6216TRPBF Fotky
IRF6216TRPBF Cena
IRF6216TRPBF Nabídka
IRF6216TRPBF Nejnižší cena
IRF6216TRPBF Vyhledávání
IRF6216TRPBF Nákup
IRF6216TRPBF Chip