Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF6216PBF
MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF6216PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
150V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
2.2A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
240 mOhm @ 1.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
49nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1280pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 33404 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF6216PBF
IRF6216PBF Elektronické komponenty
IRF6216PBF Odbyt
IRF6216PBF Dodavatel
IRF6216PBF Distributor
IRF6216PBF Datová tabulka
IRF6216PBF Fotky
IRF6216PBF Cena
IRF6216PBF Nabídka
IRF6216PBF Nejnižší cena
IRF6216PBF Vyhledávání
IRF6216PBF Nákup
IRF6216PBF Chip