IRF6201TRPBF
MOSFET N-CH 20V 27A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF6201TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
27A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2.45 mOhm @ 27A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.1V @ 100µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
195nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
8555pF @ 16V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 4.5V
VGS (max.)
±12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 23734 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF6201TRPBF
IRF6201TRPBF Elektronické komponenty
IRF6201TRPBF Odbyt
IRF6201TRPBF Dodavatel
IRF6201TRPBF Distributor
IRF6201TRPBF Datová tabulka
IRF6201TRPBF Fotky
IRF6201TRPBF Cena
IRF6201TRPBF Nabídka
IRF6201TRPBF Nejnižší cena
IRF6201TRPBF Vyhledávání
IRF6201TRPBF Nákup
IRF6201TRPBF Chip