Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF6100PBF
MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIPFET
Číslo dílu
IRF6100PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
4-FlipFet™
Dodavatelský balíček zařízení
4-FlipFet™
Ztráta energie (max.)
2.2W (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
5.1A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
65 mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
21nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1230pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 4.5V
VGS (max.)
±12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 54018 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF6100PBF
IRF6100PBF Elektronické komponenty
IRF6100PBF Odbyt
IRF6100PBF Dodavatel
IRF6100PBF Distributor
IRF6100PBF Datová tabulka
IRF6100PBF Fotky
IRF6100PBF Cena
IRF6100PBF Nabídka
IRF6100PBF Nejnižší cena
IRF6100PBF Vyhledávání
IRF6100PBF Nákup
IRF6100PBF Chip