Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF5810
MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6TSOP
Číslo dílu
IRF5810
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Provozní teplota
-
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Výkon - Max
960mW
Dodavatelský balíček zařízení
6-TSOP
Typ FET
2 P-Channel (Dual)
Funkce FET
Logic Level Gate
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
2.9A
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
90 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
9.6nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
650pF @ 16V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 8711 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF5810
IRF5810 Elektronické komponenty
IRF5810 Odbyt
IRF5810 Dodavatel
IRF5810 Distributor
IRF5810 Datová tabulka
IRF5810 Fotky
IRF5810 Cena
IRF5810 Nabídka
IRF5810 Nejnižší cena
IRF5810 Vyhledávání
IRF5810 Nákup
IRF5810 Chip