Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF5806TRPBF
MOSFET P-CH 20V 4A 6-TSOP
Číslo dílu
IRF5806TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Dodavatelský balíček zařízení
Micro6™(TSOP-6)
Ztráta energie (max.)
2W (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
4A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
86 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
11.4nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
594pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 4.5V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 19757 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF5806TRPBF
IRF5806TRPBF Elektronické komponenty
IRF5806TRPBF Odbyt
IRF5806TRPBF Dodavatel
IRF5806TRPBF Distributor
IRF5806TRPBF Datová tabulka
IRF5806TRPBF Fotky
IRF5806TRPBF Cena
IRF5806TRPBF Nabídka
IRF5806TRPBF Nejnižší cena
IRF5806TRPBF Vyhledávání
IRF5806TRPBF Nákup
IRF5806TRPBF Chip