Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF5806
MOSFET P-CH 20V 4A 6-TSOP
Číslo dílu
IRF5806
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Dodavatelský balíček zařízení
Micro6™(TSOP-6)
Ztráta energie (max.)
2W (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
4A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
86 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
11.4nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
594pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 4.5V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 16864 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF5806
IRF5806 Elektronické komponenty
IRF5806 Odbyt
IRF5806 Dodavatel
IRF5806 Distributor
IRF5806 Datová tabulka
IRF5806 Fotky
IRF5806 Cena
IRF5806 Nabídka
IRF5806 Nejnižší cena
IRF5806 Vyhledávání
IRF5806 Nákup
IRF5806 Chip