IRF5805TRPBF
MOSFET P-CH 30V 3.8A 6-TSOP
Číslo dílu
IRF5805TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Dodavatelský balíček zařízení
Micro6™(TSOP-6)
Ztráta energie (max.)
2W (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
3.8A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
98 mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
17nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
511pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 44930 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF5805TRPBF
IRF5805TRPBF Elektronické komponenty
IRF5805TRPBF Odbyt
IRF5805TRPBF Dodavatel
IRF5805TRPBF Distributor
IRF5805TRPBF Datová tabulka
IRF5805TRPBF Fotky
IRF5805TRPBF Cena
IRF5805TRPBF Nabídka
IRF5805TRPBF Nejnižší cena
IRF5805TRPBF Vyhledávání
IRF5805TRPBF Nákup
IRF5805TRPBF Chip