Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF5803TR
MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-TSOP
Číslo dílu
IRF5803TR
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Dodavatelský balíček zařízení
Micro6™(TSOP-6)
Ztráta energie (max.)
2W (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
40V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
3.4A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
112 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
37nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1110pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 50860 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF5803TR
IRF5803TR Elektronické komponenty
IRF5803TR Odbyt
IRF5803TR Dodavatel
IRF5803TR Distributor
IRF5803TR Datová tabulka
IRF5803TR Fotky
IRF5803TR Cena
IRF5803TR Nabídka
IRF5803TR Nejnižší cena
IRF5803TR Vyhledávání
IRF5803TR Nákup
IRF5803TR Chip