Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF5803D2PBF
MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF5803D2PBF
Výrobce/značka
Série
FETKY™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2W (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
Schottky Diode (Isolated)
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
40V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
3.4A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
112 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
37nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1110pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 12563 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF5803D2PBF
IRF5803D2PBF Elektronické komponenty
IRF5803D2PBF Odbyt
IRF5803D2PBF Dodavatel
IRF5803D2PBF Distributor
IRF5803D2PBF Datová tabulka
IRF5803D2PBF Fotky
IRF5803D2PBF Cena
IRF5803D2PBF Nabídka
IRF5803D2PBF Nejnižší cena
IRF5803D2PBF Vyhledávání
IRF5803D2PBF Nákup
IRF5803D2PBF Chip