Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF5802TRPBF
MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP
Číslo dílu
IRF5802TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Dodavatelský balíček zařízení
Micro6™(TSOP-6)
Ztráta energie (max.)
2W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
150V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
900mA (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.2 Ohm @ 540mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
6.8nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
88pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 38806 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF5802TRPBF
IRF5802TRPBF Elektronické komponenty
IRF5802TRPBF Odbyt
IRF5802TRPBF Dodavatel
IRF5802TRPBF Distributor
IRF5802TRPBF Datová tabulka
IRF5802TRPBF Fotky
IRF5802TRPBF Cena
IRF5802TRPBF Nabídka
IRF5802TRPBF Nejnižší cena
IRF5802TRPBF Vyhledávání
IRF5802TRPBF Nákup
IRF5802TRPBF Chip