Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF5802TR
MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP
Číslo dílu
IRF5802TR
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Dodavatelský balíček zařízení
Micro6™(TSOP-6)
Ztráta energie (max.)
2W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
150V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
900mA (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.2 Ohm @ 540mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
6.8nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
88pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 36534 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF5802TR
IRF5802TR Elektronické komponenty
IRF5802TR Odbyt
IRF5802TR Dodavatel
IRF5802TR Distributor
IRF5802TR Datová tabulka
IRF5802TR Fotky
IRF5802TR Cena
IRF5802TR Nabídka
IRF5802TR Nejnižší cena
IRF5802TR Vyhledávání
IRF5802TR Nákup
IRF5802TR Chip