IRF5801TRPBF
MOSFET N-CH 200V 600MA 6-TSOP
Číslo dílu
IRF5801TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Dodavatelský balíček zařízení
Micro6™(TSOP-6)
Ztráta energie (max.)
2W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
600mA (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2.2 Ohm @ 360mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
3.9nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
88pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 10102 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF5801TRPBF
IRF5801TRPBF Elektronické komponenty
IRF5801TRPBF Odbyt
IRF5801TRPBF Dodavatel
IRF5801TRPBF Distributor
IRF5801TRPBF Datová tabulka
IRF5801TRPBF Fotky
IRF5801TRPBF Cena
IRF5801TRPBF Nabídka
IRF5801TRPBF Nejnižší cena
IRF5801TRPBF Vyhledávání
IRF5801TRPBF Nákup
IRF5801TRPBF Chip