Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF540NLPBF
MOSFET N-CH 100V 33A TO-262
Číslo dílu
IRF540NLPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-262
Ztráta energie (max.)
130W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
33A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
44 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
71nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1960pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 6173 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF540NLPBF
IRF540NLPBF Elektronické komponenty
IRF540NLPBF Odbyt
IRF540NLPBF Dodavatel
IRF540NLPBF Distributor
IRF540NLPBF Datová tabulka
IRF540NLPBF Fotky
IRF540NLPBF Cena
IRF540NLPBF Nabídka
IRF540NLPBF Nejnižší cena
IRF540NLPBF Vyhledávání
IRF540NLPBF Nákup
IRF540NLPBF Chip