IRF530NSTRLPBF
MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Číslo dílu
IRF530NSTRLPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
3.8W (Ta), 70W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
90 mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
37nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
920pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 34026 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF530NSTRLPBF
IRF530NSTRLPBF Elektronické komponenty
IRF530NSTRLPBF Odbyt
IRF530NSTRLPBF Dodavatel
IRF530NSTRLPBF Distributor
IRF530NSTRLPBF Datová tabulka
IRF530NSTRLPBF Fotky
IRF530NSTRLPBF Cena
IRF530NSTRLPBF Nabídka
IRF530NSTRLPBF Nejnižší cena
IRF530NSTRLPBF Vyhledávání
IRF530NSTRLPBF Nákup
IRF530NSTRLPBF Chip