Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF530NPBF
MOSFET N-CH 100V 17A TO-220AB
Číslo dílu
IRF530NPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
70W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
90 mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
37nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
920pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 21278 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF530NPBF
IRF530NPBF Elektronické komponenty
IRF530NPBF Odbyt
IRF530NPBF Dodavatel
IRF530NPBF Distributor
IRF530NPBF Datová tabulka
IRF530NPBF Fotky
IRF530NPBF Cena
IRF530NPBF Nabídka
IRF530NPBF Nejnižší cena
IRF530NPBF Vyhledávání
IRF530NPBF Nákup
IRF530NPBF Chip