Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF5305STRR

IRF5305STRR

MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
Číslo dílu
IRF5305STRR
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
3.8W (Ta), 110W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
55V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
31A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
60 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
63nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1200pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 39590 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova IRF5305STRR
IRF5305STRR Elektronické komponenty
IRF5305STRR Odbyt
IRF5305STRR Dodavatel
IRF5305STRR Distributor
IRF5305STRR Datová tabulka
IRF5305STRR Fotky
IRF5305STRR Cena
IRF5305STRR Nabídka
IRF5305STRR Nejnižší cena
IRF5305STRR Vyhledávání
IRF5305STRR Nákup
IRF5305STRR Chip