Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF5305PBF
MOSFET P-CH 55V 31A TO-220AB
Číslo dílu
IRF5305PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
110W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
55V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
31A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
60 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
63nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1200pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 25308 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF5305PBF
IRF5305PBF Elektronické komponenty
IRF5305PBF Odbyt
IRF5305PBF Dodavatel
IRF5305PBF Distributor
IRF5305PBF Datová tabulka
IRF5305PBF Fotky
IRF5305PBF Cena
IRF5305PBF Nabídka
IRF5305PBF Nejnižší cena
IRF5305PBF Vyhledávání
IRF5305PBF Nákup
IRF5305PBF Chip