Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF5210STRRPBF
MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
Číslo dílu
IRF5210STRRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
3.1W (Ta), 170W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
38A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
60 mOhm @ 38A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
230nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2780pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 25623 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF5210STRRPBF
IRF5210STRRPBF Elektronické komponenty
IRF5210STRRPBF Odbyt
IRF5210STRRPBF Dodavatel
IRF5210STRRPBF Distributor
IRF5210STRRPBF Datová tabulka
IRF5210STRRPBF Fotky
IRF5210STRRPBF Cena
IRF5210STRRPBF Nabídka
IRF5210STRRPBF Nejnižší cena
IRF5210STRRPBF Vyhledávání
IRF5210STRRPBF Nákup
IRF5210STRRPBF Chip