Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF5210SPBF
MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
Číslo dílu
IRF5210SPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
3.1W (Ta), 170W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
38A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
60 mOhm @ 38A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
230nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2780pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 50611 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF5210SPBF
IRF5210SPBF Elektronické komponenty
IRF5210SPBF Odbyt
IRF5210SPBF Dodavatel
IRF5210SPBF Distributor
IRF5210SPBF Datová tabulka
IRF5210SPBF Fotky
IRF5210SPBF Cena
IRF5210SPBF Nabídka
IRF5210SPBF Nejnižší cena
IRF5210SPBF Vyhledávání
IRF5210SPBF Nákup
IRF5210SPBF Chip