Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF5210LPBF
MOSFET P-CH 100V 38A TO-262
Číslo dílu
IRF5210LPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-262
Ztráta energie (max.)
3.1W (Ta), 170W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
38A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
60 mOhm @ 38A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
230nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2780pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 23436 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF5210LPBF
IRF5210LPBF Elektronické komponenty
IRF5210LPBF Odbyt
IRF5210LPBF Dodavatel
IRF5210LPBF Distributor
IRF5210LPBF Datová tabulka
IRF5210LPBF Fotky
IRF5210LPBF Cena
IRF5210LPBF Nabídka
IRF5210LPBF Nejnižší cena
IRF5210LPBF Vyhledávání
IRF5210LPBF Nákup
IRF5210LPBF Chip