Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF520NSTRR
MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK
Číslo dílu
IRF520NSTRR
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
3.8W (Ta), 48W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
9.7A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
200 mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
330pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 14210 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF520NSTRR
IRF520NSTRR Elektronické komponenty
IRF520NSTRR Odbyt
IRF520NSTRR Dodavatel
IRF520NSTRR Distributor
IRF520NSTRR Datová tabulka
IRF520NSTRR Fotky
IRF520NSTRR Cena
IRF520NSTRR Nabídka
IRF520NSTRR Nejnižší cena
IRF520NSTRR Vyhledávání
IRF520NSTRR Nákup
IRF520NSTRR Chip