Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF520NSTRLPBF
MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK
Číslo dílu
IRF520NSTRLPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
3.8W (Ta), 48W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
9.7A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
200 mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
330pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 8069 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF520NSTRLPBF
IRF520NSTRLPBF Elektronické komponenty
IRF520NSTRLPBF Odbyt
IRF520NSTRLPBF Dodavatel
IRF520NSTRLPBF Distributor
IRF520NSTRLPBF Datová tabulka
IRF520NSTRLPBF Fotky
IRF520NSTRLPBF Cena
IRF520NSTRLPBF Nabídka
IRF520NSTRLPBF Nejnižší cena
IRF520NSTRLPBF Vyhledávání
IRF520NSTRLPBF Nákup
IRF520NSTRLPBF Chip