Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF520NPBF
MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-220AB
Číslo dílu
IRF520NPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
48W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
9.7A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
200 mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
330pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 22779 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF520NPBF
IRF520NPBF Elektronické komponenty
IRF520NPBF Odbyt
IRF520NPBF Dodavatel
IRF520NPBF Distributor
IRF520NPBF Datová tabulka
IRF520NPBF Fotky
IRF520NPBF Cena
IRF520NPBF Nabídka
IRF520NPBF Nejnižší cena
IRF520NPBF Vyhledávání
IRF520NPBF Nákup
IRF520NPBF Chip