Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF520NLPBF
MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-262
Číslo dílu
IRF520NLPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-262
Ztráta energie (max.)
3.8W (Ta), 48W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
9.7A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
200 mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
330pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 48580 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF520NLPBF
IRF520NLPBF Elektronické komponenty
IRF520NLPBF Odbyt
IRF520NLPBF Dodavatel
IRF520NLPBF Distributor
IRF520NLPBF Datová tabulka
IRF520NLPBF Fotky
IRF520NLPBF Cena
IRF520NLPBF Nabídka
IRF520NLPBF Nejnižší cena
IRF520NLPBF Vyhledávání
IRF520NLPBF Nákup
IRF520NLPBF Chip