Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF520N
MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-220AB
Číslo dílu
IRF520N
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
48W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
9.7A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
200 mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
330pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 28692 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF520N
IRF520N Elektronické komponenty
IRF520N Odbyt
IRF520N Dodavatel
IRF520N Distributor
IRF520N Datová tabulka
IRF520N Fotky
IRF520N Cena
IRF520N Nabídka
IRF520N Nejnižší cena
IRF520N Vyhledávání
IRF520N Nákup
IRF520N Chip