Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF3808STRLPBF
MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK
Číslo dílu
IRF3808STRLPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
200W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
75V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
106A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
7 mOhm @ 82A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
220nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5310pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 30445 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF3808STRLPBF
IRF3808STRLPBF Elektronické komponenty
IRF3808STRLPBF Odbyt
IRF3808STRLPBF Dodavatel
IRF3808STRLPBF Distributor
IRF3808STRLPBF Datová tabulka
IRF3808STRLPBF Fotky
IRF3808STRLPBF Cena
IRF3808STRLPBF Nabídka
IRF3808STRLPBF Nejnižší cena
IRF3808STRLPBF Vyhledávání
IRF3808STRLPBF Nákup
IRF3808STRLPBF Chip