Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF3808PBF
MOSFET N-CH 75V 140A TO-220AB
Číslo dílu
IRF3808PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
330W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
75V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
140A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
7 mOhm @ 82A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
220nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5310pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 21508 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF3808PBF
IRF3808PBF Elektronické komponenty
IRF3808PBF Odbyt
IRF3808PBF Dodavatel
IRF3808PBF Distributor
IRF3808PBF Datová tabulka
IRF3808PBF Fotky
IRF3808PBF Cena
IRF3808PBF Nabídka
IRF3808PBF Nejnižší cena
IRF3808PBF Vyhledávání
IRF3808PBF Nákup
IRF3808PBF Chip