Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF3711S
MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
Číslo dílu
IRF3711S
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
3.1W (Ta), 120W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
110A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
6 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
44nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2980pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 32904 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF3711S
IRF3711S Elektronické komponenty
IRF3711S Odbyt
IRF3711S Dodavatel
IRF3711S Distributor
IRF3711S Datová tabulka
IRF3711S Fotky
IRF3711S Cena
IRF3711S Nabídka
IRF3711S Nejnižší cena
IRF3711S Vyhledávání
IRF3711S Nákup
IRF3711S Chip