Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF3711PBF
MOSFET N-CH 20V 110A TO-220AB
Číslo dílu
IRF3711PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
3.1W (Ta), 120W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
110A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
6 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
44nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2980pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 35938 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF3711PBF
IRF3711PBF Elektronické komponenty
IRF3711PBF Odbyt
IRF3711PBF Dodavatel
IRF3711PBF Distributor
IRF3711PBF Datová tabulka
IRF3711PBF Fotky
IRF3711PBF Cena
IRF3711PBF Nabídka
IRF3711PBF Nejnižší cena
IRF3711PBF Vyhledávání
IRF3711PBF Nákup
IRF3711PBF Chip