IRF3710ZSTRLPBF
MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
Číslo dílu
IRF3710ZSTRLPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
160W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
59A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
18 mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
120nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2900pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 40642 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF3710ZSTRLPBF
IRF3710ZSTRLPBF Elektronické komponenty
IRF3710ZSTRLPBF Odbyt
IRF3710ZSTRLPBF Dodavatel
IRF3710ZSTRLPBF Distributor
IRF3710ZSTRLPBF Datová tabulka
IRF3710ZSTRLPBF Fotky
IRF3710ZSTRLPBF Cena
IRF3710ZSTRLPBF Nabídka
IRF3710ZSTRLPBF Nejnižší cena
IRF3710ZSTRLPBF Vyhledávání
IRF3710ZSTRLPBF Nákup
IRF3710ZSTRLPBF Chip