Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF3710ZLPBF
MOSFET N-CH 100V 59A TO-262
Číslo dílu
IRF3710ZLPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-262
Ztráta energie (max.)
160W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
59A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
18 mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
120nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2900pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 31513 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF3710ZLPBF
IRF3710ZLPBF Elektronické komponenty
IRF3710ZLPBF Odbyt
IRF3710ZLPBF Dodavatel
IRF3710ZLPBF Distributor
IRF3710ZLPBF Datová tabulka
IRF3710ZLPBF Fotky
IRF3710ZLPBF Cena
IRF3710ZLPBF Nabídka
IRF3710ZLPBF Nejnižší cena
IRF3710ZLPBF Vyhledávání
IRF3710ZLPBF Nákup
IRF3710ZLPBF Chip