Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF3710STRRPBF
MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
Číslo dílu
IRF3710STRRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
200W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
57A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
23 mOhm @ 28A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
130nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3130pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 10927 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF3710STRRPBF
IRF3710STRRPBF Elektronické komponenty
IRF3710STRRPBF Odbyt
IRF3710STRRPBF Dodavatel
IRF3710STRRPBF Distributor
IRF3710STRRPBF Datová tabulka
IRF3710STRRPBF Fotky
IRF3710STRRPBF Cena
IRF3710STRRPBF Nabídka
IRF3710STRRPBF Nejnižší cena
IRF3710STRRPBF Vyhledávání
IRF3710STRRPBF Nákup
IRF3710STRRPBF Chip