Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF3710PBF
MOSFET N-CH 100V 57A TO-220AB
Číslo dílu
IRF3710PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
200W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
57A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
23 mOhm @ 28A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
130nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3130pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 41628 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF3710PBF
IRF3710PBF Elektronické komponenty
IRF3710PBF Odbyt
IRF3710PBF Dodavatel
IRF3710PBF Distributor
IRF3710PBF Datová tabulka
IRF3710PBF Fotky
IRF3710PBF Cena
IRF3710PBF Nabídka
IRF3710PBF Nejnižší cena
IRF3710PBF Vyhledávání
IRF3710PBF Nákup
IRF3710PBF Chip