Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF3709ZPBF

IRF3709ZPBF

MOSFET N-CH 30V 87A TO-220AB
Číslo dílu
IRF3709ZPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
79W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
87A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
6.3 mOhm @ 21A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.25V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
26nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2130pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 46232 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova IRF3709ZPBF
IRF3709ZPBF Elektronické komponenty
IRF3709ZPBF Odbyt
IRF3709ZPBF Dodavatel
IRF3709ZPBF Distributor
IRF3709ZPBF Datová tabulka
IRF3709ZPBF Fotky
IRF3709ZPBF Cena
IRF3709ZPBF Nabídka
IRF3709ZPBF Nejnižší cena
IRF3709ZPBF Vyhledávání
IRF3709ZPBF Nákup
IRF3709ZPBF Chip