Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF3709STRRPBF
MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK
Číslo dílu
IRF3709STRRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
3.1W (Ta), 120W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
9 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
41nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2672pF @ 16V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 45082 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF3709STRRPBF
IRF3709STRRPBF Elektronické komponenty
IRF3709STRRPBF Odbyt
IRF3709STRRPBF Dodavatel
IRF3709STRRPBF Distributor
IRF3709STRRPBF Datová tabulka
IRF3709STRRPBF Fotky
IRF3709STRRPBF Cena
IRF3709STRRPBF Nabídka
IRF3709STRRPBF Nejnižší cena
IRF3709STRRPBF Vyhledávání
IRF3709STRRPBF Nákup
IRF3709STRRPBF Chip