Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF3709STRR
MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK
Číslo dílu
IRF3709STRR
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
3.1W (Ta), 120W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
9 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
41nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2672pF @ 16V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 28291 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF3709STRR
IRF3709STRR Elektronické komponenty
IRF3709STRR Odbyt
IRF3709STRR Dodavatel
IRF3709STRR Distributor
IRF3709STRR Datová tabulka
IRF3709STRR Fotky
IRF3709STRR Cena
IRF3709STRR Nabídka
IRF3709STRR Nejnižší cena
IRF3709STRR Vyhledávání
IRF3709STRR Nákup
IRF3709STRR Chip