Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF3709STRLPBF
MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK
Číslo dílu
IRF3709STRLPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
3.1W (Ta), 120W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
9 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
41nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2672pF @ 16V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 29193 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF3709STRLPBF
IRF3709STRLPBF Elektronické komponenty
IRF3709STRLPBF Odbyt
IRF3709STRLPBF Dodavatel
IRF3709STRLPBF Distributor
IRF3709STRLPBF Datová tabulka
IRF3709STRLPBF Fotky
IRF3709STRLPBF Cena
IRF3709STRLPBF Nabídka
IRF3709STRLPBF Nejnižší cena
IRF3709STRLPBF Vyhledávání
IRF3709STRLPBF Nákup
IRF3709STRLPBF Chip