Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF3709SPBF
MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK
Číslo dílu
IRF3709SPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
3.1W (Ta), 120W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
9 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
41nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2672pF @ 16V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 30993 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF3709SPBF
IRF3709SPBF Elektronické komponenty
IRF3709SPBF Odbyt
IRF3709SPBF Dodavatel
IRF3709SPBF Distributor
IRF3709SPBF Datová tabulka
IRF3709SPBF Fotky
IRF3709SPBF Cena
IRF3709SPBF Nabídka
IRF3709SPBF Nejnižší cena
IRF3709SPBF Vyhledávání
IRF3709SPBF Nákup
IRF3709SPBF Chip