Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF3708STRR
MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK
Číslo dílu
IRF3708STRR
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
87W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
62A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
12 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
24nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2417pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.8V, 10V
VGS (max.)
±12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 6835 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF3708STRR
IRF3708STRR Elektronické komponenty
IRF3708STRR Odbyt
IRF3708STRR Dodavatel
IRF3708STRR Distributor
IRF3708STRR Datová tabulka
IRF3708STRR Fotky
IRF3708STRR Cena
IRF3708STRR Nabídka
IRF3708STRR Nejnižší cena
IRF3708STRR Vyhledávání
IRF3708STRR Nákup
IRF3708STRR Chip