Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF3707ZLPBF
MOSFET N-CH 30V 59A TO-262
Číslo dílu
IRF3707ZLPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-262
Ztráta energie (max.)
57W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
59A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
9.5 mOhm @ 21A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.25V @ 25µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1210pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 51129 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF3707ZLPBF
IRF3707ZLPBF Elektronické komponenty
IRF3707ZLPBF Odbyt
IRF3707ZLPBF Dodavatel
IRF3707ZLPBF Distributor
IRF3707ZLPBF Datová tabulka
IRF3707ZLPBF Fotky
IRF3707ZLPBF Cena
IRF3707ZLPBF Nabídka
IRF3707ZLPBF Nejnižší cena
IRF3707ZLPBF Vyhledávání
IRF3707ZLPBF Nákup
IRF3707ZLPBF Chip