Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF3707STRR

IRF3707STRR

MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK
Číslo dílu
IRF3707STRR
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
87W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
62A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
12.5 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
19nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1990pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 11103 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova IRF3707STRR
IRF3707STRR Elektronické komponenty
IRF3707STRR Odbyt
IRF3707STRR Dodavatel
IRF3707STRR Distributor
IRF3707STRR Datová tabulka
IRF3707STRR Fotky
IRF3707STRR Cena
IRF3707STRR Nabídka
IRF3707STRR Nejnižší cena
IRF3707STRR Vyhledávání
IRF3707STRR Nákup
IRF3707STRR Chip