Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF3707LPBF
MOSFET N-CH 30V 62A TO-262
Číslo dílu
IRF3707LPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-262
Ztráta energie (max.)
87W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
62A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
12.5 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
19nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1990pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 38926 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF3707LPBF
IRF3707LPBF Elektronické komponenty
IRF3707LPBF Odbyt
IRF3707LPBF Dodavatel
IRF3707LPBF Distributor
IRF3707LPBF Datová tabulka
IRF3707LPBF Fotky
IRF3707LPBF Cena
IRF3707LPBF Nabídka
IRF3707LPBF Nejnižší cena
IRF3707LPBF Vyhledávání
IRF3707LPBF Nákup
IRF3707LPBF Chip