Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF3706STRR
MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK
Číslo dílu
IRF3706STRR
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
88W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
77A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
8.5 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2410pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.8V, 10V
VGS (max.)
±12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 19189 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF3706STRR
IRF3706STRR Elektronické komponenty
IRF3706STRR Odbyt
IRF3706STRR Dodavatel
IRF3706STRR Distributor
IRF3706STRR Datová tabulka
IRF3706STRR Fotky
IRF3706STRR Cena
IRF3706STRR Nabídka
IRF3706STRR Nejnižší cena
IRF3706STRR Vyhledávání
IRF3706STRR Nákup
IRF3706STRR Chip