Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF3706PBF
MOSFET N-CH 20V 77A TO-220AB
Číslo dílu
IRF3706PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
88W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
77A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
8.5 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2410pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.8V, 10V
VGS (max.)
±12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 12482 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF3706PBF
IRF3706PBF Elektronické komponenty
IRF3706PBF Odbyt
IRF3706PBF Dodavatel
IRF3706PBF Distributor
IRF3706PBF Datová tabulka
IRF3706PBF Fotky
IRF3706PBF Cena
IRF3706PBF Nabídka
IRF3706PBF Nejnižší cena
IRF3706PBF Vyhledávání
IRF3706PBF Nákup
IRF3706PBF Chip