Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF3706LPBF
MOSFET N-CH 20V 77A TO-262
Číslo dílu
IRF3706LPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-262
Ztráta energie (max.)
88W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
77A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
8.5 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2410pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.8V, 10V
VGS (max.)
±12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 29898 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF3706LPBF
IRF3706LPBF Elektronické komponenty
IRF3706LPBF Odbyt
IRF3706LPBF Dodavatel
IRF3706LPBF Distributor
IRF3706LPBF Datová tabulka
IRF3706LPBF Fotky
IRF3706LPBF Cena
IRF3706LPBF Nabídka
IRF3706LPBF Nejnižší cena
IRF3706LPBF Vyhledávání
IRF3706LPBF Nákup
IRF3706LPBF Chip