Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF3703PBF
MOSFET N-CH 30V 210A TO-220AB
Číslo dílu
IRF3703PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
3.8W (Ta), 230W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
210A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2.8 mOhm @ 76A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
209nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
8250pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
7V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 53212 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF3703PBF
IRF3703PBF Elektronické komponenty
IRF3703PBF Odbyt
IRF3703PBF Dodavatel
IRF3703PBF Distributor
IRF3703PBF Datová tabulka
IRF3703PBF Fotky
IRF3703PBF Cena
IRF3703PBF Nabídka
IRF3703PBF Nejnižší cena
IRF3703PBF Vyhledávání
IRF3703PBF Nákup
IRF3703PBF Chip