IRF3610STRLPBF
MOSFET N-CH 100V 103A D2PAK
Číslo dílu
IRF3610STRLPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Discontinued at Digi-Key
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
333W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
103A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
11.6 mOhm @ 62A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
150nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5380pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 27042 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF3610STRLPBF
IRF3610STRLPBF Elektronické komponenty
IRF3610STRLPBF Odbyt
IRF3610STRLPBF Dodavatel
IRF3610STRLPBF Distributor
IRF3610STRLPBF Datová tabulka
IRF3610STRLPBF Fotky
IRF3610STRLPBF Cena
IRF3610STRLPBF Nabídka
IRF3610STRLPBF Nejnižší cena
IRF3610STRLPBF Vyhledávání
IRF3610STRLPBF Nákup
IRF3610STRLPBF Chip