Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF3515STRR
MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK
Číslo dílu
IRF3515STRR
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
200W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
150V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
41A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
45 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
107nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2260pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 29796 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF3515STRR
IRF3515STRR Elektronické komponenty
IRF3515STRR Odbyt
IRF3515STRR Dodavatel
IRF3515STRR Distributor
IRF3515STRR Datová tabulka
IRF3515STRR Fotky
IRF3515STRR Cena
IRF3515STRR Nabídka
IRF3515STRR Nejnižší cena
IRF3515STRR Vyhledávání
IRF3515STRR Nákup
IRF3515STRR Chip