Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF3415STRR

IRF3415STRR

MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
Číslo dílu
IRF3415STRR
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
3.8W (Ta), 200W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
150V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
43A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
42 mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
200nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2400pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 48342 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova IRF3415STRR
IRF3415STRR Elektronické komponenty
IRF3415STRR Odbyt
IRF3415STRR Dodavatel
IRF3415STRR Distributor
IRF3415STRR Datová tabulka
IRF3415STRR Fotky
IRF3415STRR Cena
IRF3415STRR Nabídka
IRF3415STRR Nejnižší cena
IRF3415STRR Vyhledávání
IRF3415STRR Nákup
IRF3415STRR Chip